直拍| 贴片 F540NS IRF540NS TO263 100V/33A N沟道场效应三极管介绍

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价格：0.80

规格

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	71nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）	44 毫欧 @ 16A，10V
供应商器件封装	D2PAK
功率 - 最大值	130W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D⊃2;Pak（2 引线+接片），TO-263AB
漏源极电压 (Vdss)	100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	33A（Tc）
FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物